2 Gbit Soluciones embebidas

Tipos de Soluciones embebidas

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Resultados: 362
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB020
Infineon Technologies Flash NOR Nor No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 180
Múlt.: 180

Infineon Technologies S70GL02GT11FHB023
Infineon Technologies Flash NOR Nor No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1.600
Múlt.: 1.600
: 1.600

Infineon Technologies S70GL02GT11FHB010
Infineon Technologies Flash NOR Nor No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 360
Múlt.: 360

Infineon Technologies S70GL02GT11FHV020
Infineon Technologies Flash NOR Nor No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 180
Múlt.: 180

Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV23
Infineon Technologies Flash NOR Nor No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1.600
Múlt.: 1.600
: 1.600

Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV20
Infineon Technologies Flash NOR Nor No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 360
Múlt.: 360

Infineon Technologies S70GL02GS11FHI020
Infineon Technologies Flash NOR 2G 3V 110ns Parallel Flash NOR No en almacén Plazo producción 19 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.420
Múlt.: 2.420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96 No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 2.090
Múlt.: 2.090

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 136
Múlt.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500