MOSFETs MOSFET de SiC

Resultados: 161
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial


Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 1.139En existencias
26,02 €
17,48 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole 1 Channel 1.2 kV 127 A 14 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 455 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial 670En existencias
7,52 €
4,39 €
4,04 €
3,82 €
3,52 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial 661En existencias
11,16 €
6,32 €
6,27 €
6,24 €
5,83 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.000En existencias
Cinta extraída
5,36 €
2,83 €
2,09 €
2,08 €
Bobina
2,08 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 143En existencias
Cinta extraída
15,67 €
9,68 €
9,41 €
Bobina
9,16 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.995En existencias
Cinta extraída
8,08 €
4,70 €
4,34 €
4,07 €
Bobina
3,87 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET 1.614En existencias
53,33 €
49,71 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 111 A 12 mOhms - 10 V, + 22 V 2.7 V 288 nC - 55 C + 175 C 567 W Enhancement
Central Semiconductor MOSFET de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC 17En existencias
34,01 €
27,83 €
24,59 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial 601En existencias
9,20 €
5,11 €
4,87 €
4,84 €
4,52 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.019En existencias
Cinta extraída
8,72 €
4,82 €
4,52 €
4,45 €
Bobina
4,28 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 861En existencias
Cinta extraída
6,39 €
4,02 €
3,68 €
3,47 €
Bobina
3,43 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 753En existencias
Cinta extraída
5,80 €
3,40 €
3,10 €
2,92 €
Bobina
2,80 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
GeneSiC Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET 1.702En existencias
6,20 €
5,57 €
5,34 €
5,01 €
Ver
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7 A 450 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 13 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC 994En existencias
Cinta extraída
23,99 €
16,67 €
16,66 €
Bobina
15,57 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
SemiQ MOSFET de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 391En existencias
10,82 €
6,49 €
6,48 €
5,59 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial 2.412En existencias
Cinta extraída
5,10 €
2,88 €
2,49 €
2,07 €
Bobina
1,89 €
1,64 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1.123En existencias
750Fecha prevista: 07/01/2027
Cinta extraída
12,60 €
7,30 €
7,16 €
Bobina
6,82 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1.507En existencias
750Pedido
Cinta extraída
10,67 €
7,72 €
6,43 €
5,74 €
Bobina
5,36 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 675En existencias
Cinta extraída
9,92 €
5,56 €
5,35 €
5,00 €
Bobina
5,00 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 314En existencias
750Fecha prevista: 30/11/2026
Cinta extraída
8,33 €
4,58 €
4,26 €
3,97 €
Bobina
3,97 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 2.150En existencias
Cinta extraída
7,32 €
3,97 €
3,65 €
3,57 €
Bobina
3,35 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 228En existencias
240Fecha prevista: 30/11/2026
24,61 €
19,70 €
17,04 €
16,13 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 16 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 267En existencias
16,37 €
12,47 €
10,39 €
9,25 €
8,65 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 310En existencias
13,60 €
10,35 €
8,63 €
7,69 €
6,54 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
IXYS MOSFET de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900En existencias
Cinta extraída
11,16 €
6,32 €
6,24 €
5,91 €
Bobina
5,91 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement