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MOSFETs MOSFET de SiC

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Resultados: 161

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Producto = MOSFETs

Fabricante

Estilo de montaje

Empaquetado / Estuche

Número de canales

Vds (Tensión separación drenador-fuente)

Id: corriente de drenaje continuo

Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)

Vgs (tensión de compuerta-fuente)

Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)

Qg (carga de compuertas)

Temperatura operativa mínima

Temperatura operativa máxima

Pd (disipación de potencia)

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal	Nombre comercial
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 26,02 € 1.149En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R014M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R014M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	1.149En existencias	26,02 € 17,48 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole		1 Channel	1.2 kV	127 A	14 mOhms	- 10 V, + 23 V	4.2 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	455 W	Enhancement
MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial C3M0075120K-A Wolfspeed 1: 8,18 € 670En existencias	Fabr. N.º Ref. C3M0075120K-A N.º Ref. Mouser 941-C3M0075120K-A	Wolfspeed	MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial Más información sobre Wolfspeed c3m 1200vsic mosfets	Hoja de datos	670En existencias	8,18 € 4,07 € 3,87 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	32 A	90 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	53 nC	- 40 C	+ 175 C	136 W	Enhancement
MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial C3M0040120J1 Wolfspeed 1: 11,16 € 661En existencias	Fabr. N.º Ref. C3M0040120J1 N.º Ref. Mouser 941-C3M0040120J1	Wolfspeed	MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial Más información sobre Wolfspeed c3m 1200vsic mosfets	Hoja de datos	661En existencias	11,16 € 6,32 € 6,27 € 6,24 € 5,83 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SMD/SMT		1 Channel	1.2 kV	64 A	53.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	94 nC	- 40 C	+ 150 C	272 W	Enhancement
MOSFET de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial C3M0045065J1 Wolfspeed 1: 9,20 € 601En existencias	Fabr. N.º Ref. C3M0045065J1 N.º Ref. Mouser 941-C3M0045065J1	Wolfspeed	MOSFET de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial Más información sobre Wolfspeed 650v sic mosfets	Hoja de datos	601En existencias	9,20 € 5,11 € 4,87 € 4,84 € 4,52 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SMD/SMT		1 Channel	650 V	47 A	60 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	61 nC	- 40 C	+ 150 C	147 W	Enhancement
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,36 € 1.000En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R163M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R163M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1.000En existencias	Cinta extraída 5,36 € 2,83 € 2,09 € 2,08 € Bobina 2,08 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	17 A	217 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	85 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,56 € 947En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA120R040M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA120R040M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	947En existencias	12,56 € 8,32 € 6,95 € 6,79 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A	39 mOhms	- 10 V, + 23 V	4.2 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,08 € 1.995En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R057M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R057M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1.995En existencias	Cinta extraída 8,08 € 4,70 € 4,34 € 4,07 € Bobina 3,87 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	39 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	161 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC CDMS24740-170 SL PBFREE Central Semiconductor 1: 34,01 € 17En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. CDMS24740-170 SL PBFREE N.º Ref. Mouser 610-CDMS24740-170SL Nuevo producto	Central Semiconductor	MOSFET de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC Más información sobre Central Semiconductor central semi 1700v n channel sic mosfets	Hoja de datos	17En existencias	34,01 € 27,83 € 24,59 € Ver Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	26 A	40 mOhms	20 V	2.4 V		- 55 C	+ 175 C	28 W	Depletion
MOSFET de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor 1: 53,33 € 1.642En existencias	Fabr. N.º Ref. G3R12MT12K N.º Ref. Mouser 905-G3R12MT12K	GeneSiC Semiconductor	MOSFET de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	1.642En existencias	53,33 € 49,71 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	111 A	12 mOhms	- 10 V, + 22 V	2.7 V	288 nC	- 55 C	+ 175 C	567 W	Enhancement
MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial C3M0040120J1-TR Wolfspeed 1: 11,16 € 404En existencias	Fabr. N.º Ref. C3M0040120J1-TR N.º Ref. Mouser 941-C3M0040120J1TR	Wolfspeed	MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial Más información sobre Wolfspeed 650v sic mosfets	Hoja de datos	404En existencias	Cinta extraída 11,16 € 6,32 € 6,24 € 5,83 € Bobina 5,83 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 800	SMD/SMT		1 Channel	1.2 kV	64 A	53.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	94 nC	- 40 C	+ 150 C	272 W	Enhancement
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 15,67 € 643En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R022M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R022M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	643En existencias	Cinta extraída 15,67 € 9,68 € 9,41 € Bobina 9,16 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	64 A	30 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,39 € 861En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R072M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R072M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	861En existencias	Cinta extraída 6,39 € 4,02 € 3,68 € 3,47 € Bobina 3,43 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	33 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,72 € 1.019En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R048M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R048M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1.019En existencias	Cinta extraída 8,72 € 4,82 € 4,52 € 4,45 € Bobina 4,28 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	45 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,80 € 753En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG65R107M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG65R107M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	753En existencias	Cinta extraída 5,80 € 3,40 € 3,10 € 2,92 € Bobina 2,80 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	24 A	141 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor 1: 6,20 € 1.737En existencias	Fabr. N.º Ref. G3R450MT17D N.º Ref. Mouser 905-G3R450MT17D	GeneSiC Semiconductor	MOSFET de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET Más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	1.737En existencias	6,20 € 5,57 € 5,34 € 5,01 € Ver 4,80 € 4,64 € 4,50 € 4,32 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	7 A	450 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement
MOSFET de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC SCT4018KWATL ROHM Semiconductor 1: 23,99 € 994En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. SCT4018KWATL N.º Ref. Mouser 755-SCT4018KWATL Nuevo producto	ROHM Semiconductor	MOSFET de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC Más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct40xkwa power mosfets	Hoja de datos	994En existencias	Cinta extraída 23,99 € 16,67 € Bobina 15,78 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SMD/SMT	TO-263-7LA	1 Channel	1.2 kV	75 A	23.4 mOhms	- 4 V, + 21 V	4.8 V	170 nC		+ 175 C		Enhancement
MOSFET de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L GP3T020A120H SemiQ 1: 10,82 € 391En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. GP3T020A120H N.º Ref. Mouser 148-GP3T020A120H Nuevo producto	SemiQ	MOSFET de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L Más información sobre SemiQ gen3 1200v sic mosfets	Hoja de datos	391En existencias	10,82 € 6,49 € 6,48 € 5,59 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4L	1 Channel	1.2 kV	280 A	25 mOhms	- 4.5 V, + 18 V	4 V	234 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial C3M0900170J-TR Wolfspeed 1: 5,10 € 2.442En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. C3M0900170J-TR N.º Ref. Mouser 941-C3M0900170J-TR Nuevo producto	Wolfspeed	MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial Más información sobre Wolfspeed 1700v discrete sic mosfets	Hoja de datos	2.442En existencias	Cinta extraída 5,10 € 2,88 € 2,49 € 2,07 € Bobina 1,89 € 1,64 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 800	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1700 V	4.4 A	1.25 Ohms	- 8 V, + 20 V	4.2 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	41 W	Enhancement
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 12,60 € 1.138En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMCQ120R026M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMCQ120R026M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	1.138En existencias	Cinta extraída 12,60 € 7,30 € 7,16 € Bobina 6,82 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	82 A	67 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	63.4 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 10,67 € 969En existencias 1.500Pedido Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMCQ120R034M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMCQ120R034M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	969En existencias 1.500Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMCQ120R034M2HXTMA1 Existencias: 969 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 750 Fecha prevista: 23/11/2026 750 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 52 Semanas	Cinta extraída 10,67 € 7,72 € 6,43 € 5,74 € Bobina 5,36 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	64 A	89 mOhms	- 10 V, + 25 C	5.1 V	48.7 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 9,92 € 909En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMCQ120R040M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMCQ120R040M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	909En existencias	Cinta extraída 9,92 € 5,56 € 5,35 € 5,00 € Bobina 5,00 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	56 A	104 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	42.4 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,33 € 314En existencias 750Fecha prevista: 12/11/2026 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMCQ120R053M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMCQ120R053M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	314En existencias 750Fecha prevista: 12/11/2026	Cinta extraída 8,33 € 4,58 € 4,26 € 3,97 € Bobina 3,97 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	43 A	138 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	32.8 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 7,32 € 2.167En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMCQ120R078M2HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMCQ120R078M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	2.167En existencias	Cinta extraída 7,32 € 3,97 € 3,65 € 3,57 € Bobina 3,35 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	31 A	205 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	23.2 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 24,61 € 228En existencias 240Fecha prevista: 11/11/2026 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMZA120R012M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA120R012M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	228En existencias 240Fecha prevista: 11/11/2026	24,61 € 19,70 € 17,04 € 16,13 € Cotización Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV		16 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	480 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,37 € 267En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMZA120R022M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA120R022M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	267En existencias	16,37 € 12,47 € 10,39 € 9,25 € 8,65 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	80 A	29 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC