TO-3P-3 Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
Hoja de datos
292En existencias
300Fecha prevista: 24/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
Hoja de datos
263En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
Hoja de datos
2.641En existencias
3.600Fecha prevista: 14/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
Hoja de datos
2.154En existencias
2.825Fecha prevista: 15/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - BJT 150W
Hoja de datos
1.303En existencias
1.350Fecha prevista: 25/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - BJT 150W
Hoja de datos
2.623En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - BJT 200W TO-3P PNP
Hoja de datos
6.270En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 120

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - BJT 200W PNP
Hoja de datos
817En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - BJT 200W NPN
Hoja de datos
937En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
Hoja de datos
299En existencias
625Fecha prevista: 16/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
Hoja de datos
224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba IGBT 600V/30A DIS
Hoja de datos
134En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 1200 Volt
Hoja de datos
76En existencias
4.200Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 40 Amp 600 Volt
Hoja de datos
59En existencias
3.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de conmutación de señal pequeña 120 Amps 300V
Hoja de datos
28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de conmutación de señal pequeña 60 Amps 200V
Hoja de datos
8En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de conmutación de señal pequeña 60 Amps 300V
Hoja de datos
9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de conmutación de señal pequeña 60 Amps 400V
Hoja de datos
30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
Hoja de datos
69En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
Hoja de datos
220En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
Hoja de datos
34En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
Hoja de datos
117En existencias
300Fecha prevista: 10/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds
Hoja de datos
358En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
Hoja de datos
130En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
Hoja de datos
184En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3