18 GHz Semiconductores

Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Qorvo FET de GaN DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB 100En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100


MACOM Diodos PIN CW=3Watts Recovery time 15ns 400En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
10En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10

Analog Devices Precontador InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz 521En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Analog Devices Precontador InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 518En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

MACOM Diodos PIN 50-18000MHz .04pF -55C +125C 2.620En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Analog Devices Precontador InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 344En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

Analog Devices Precontador InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750Fecha prevista: 15/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

Analog Devices Precontador InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Qorvo FET de GaN DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

Microchip Technology Diodos PIN Si Limiter Hermetic Microstrip No en almacén Plazo producción 20 Semanas
No
Analog Devices Precontador InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 14
Múlt.: 14
No
Analog Devices Precontador InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 20
Múlt.: 20
No
MACOM MA4L011-134
MACOM Diodos PIN Diode,Pin,Chip,Oxide Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
MACOM FET de GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
70En existencias
Mín.: 10
Múlt.: 10