BM6337x/BM6357x IGBT Intelligent Power Modules

ROHM Semiconductor BM6337x/BM6357x IGBT Intelligent Power Modules (IPMs) are composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, and flywheel diodes. These 600V IPMs have a collector current of 10A up to 30A. ROHM Semiconductor BM6337x/BM6357x devices are ideal for AC100 to 240Vrms (DC Voltage: Less Than 400V) class motor control applications, and other applications like compressor motor control for air conditioners, washing machines, or refrigerators.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Voltaje colector-emisor VCEO máx. Empaquetado / Estuche Estilo de montaje Tecnología Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 98En existencias
Mín.: 1
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 40En existencias
Mín.: 1
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 64En existencias
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 60En existencias
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 37En existencias
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 56En existencias
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) 5En existencias
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
60Fecha prevista: 09/12/2026
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) No en almacén Plazo producción 22 Semanas
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) No en almacén Plazo producción 22 Semanas
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) No en almacén Plazo producción 22 Semanas
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) No en almacén Plazo producción 22 Semanas
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) No en almacén Plazo producción 22 Semanas
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) No en almacén Plazo producción 22 Semanas
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C
ROHM Semiconductor Módulos de potencia inteligentes - IPM 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) No en almacén Plazo producción 22 Semanas
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3-Phase 600 V HSDIP-25 Through Hole Si - 25 C + 115 C