MOSFET de SiC – Mouser España

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SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor’s G3R™ Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer R_DS(ON) levels from 12mΩ to 1000mΩ and robustness for efficiency and system reliability in automotive and industrial applications. These MOSFETs deliver a fast switching frequency, increased power density, reduced ringing (EMI), and a compact size. The G3R SiC MOSFETs are offered in optimized low-inductance discrete packages (SMD and through-hole). The modules are highly optimized for power system designs that require elevated efficiency levels at all operating temperatures and ultra-fast switching speeds with ultra-low losses. GeneSiC SiC MOSFETs provide faster switching and lower ON resistance than silicon-based products. Additional features include superior electric characteristics at high temperatures and significantly lower switching loss, allowing smaller peripheral components to be used.

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Resultados: 8

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Qg (carga de compuertas)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Modo canal
MOSFET de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor 1: 54,66 € 1.642En existencias	Fabr. N.º Ref. G3R12MT12K N.º Ref. Mouser 905-G3R12MT12K	GeneSiC Semiconductor	MOSFET de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	1.642En existencias	54,66 € 52,46 € 49,71 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	111 A	12 mOhms	- 10 V, + 22 V	2.7 V	288 nC	- 55 C	+ 175 C	567 W	Enhancement
MOSFET de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor 1: 8,74 € 1.737En existencias	Fabr. N.º Ref. G3R450MT17D N.º Ref. Mouser 905-G3R450MT17D	GeneSiC Semiconductor	MOSFET de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET Más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	1.737En existencias	8,74 € 4,99 € 4,61 € 3,95 € Ver 3,93 € Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	7 A	450 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement
MOSFET de SiC 1700V 450mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET G3R450MT17J-TR GeneSiC Semiconductor 1: 8,59 € 800En existencias	Fabr. N.º Ref. G3R450MT17J-TR N.º Ref. Mouser 905-G3R450MT17J-TR	GeneSiC Semiconductor	MOSFET de SiC 1700V 450mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET Más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	800En existencias	Cinta extraída 8,59 € 6,24 € 5,99 € 5,62 € Ver Bobina 5,24 € 5,40 € 5,24 € 5,24 € Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 800	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	8 A	630 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement
MOSFET de SiC 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor 1: 113,85 € 53En existencias 150Fecha prevista: 21/04/2027	Fabr. N.º Ref. G3R20MT17K N.º Ref. Mouser 905-G3R20MT17K	GeneSiC Semiconductor	MOSFET de SiC 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	53En existencias 150Fecha prevista: 21/04/2027	113,85 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.7 kV	101 A	20 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	256 nC	- 55 C	+ 175 C	569 W	Enhancement
MOSFET de SiC 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor 1: 26,09 € 289En existencias	Fabr. N.º Ref. G3R30MT12K N.º Ref. Mouser 905-G3R30MT12K	GeneSiC Semiconductor	MOSFET de SiC 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	289En existencias	26,09 € 25,90 € 17,22 € 16,78 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	70 A	30 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	118 nC	- 55 C	+ 175 C	281 W	Enhancement
MOSFET de SiC 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor 1: 35,47 € 109En existencias	Fabr. N.º Ref. G3R45MT17K N.º Ref. Mouser 905-G3R45MT17K	GeneSiC Semiconductor	MOSFET de SiC 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	109En existencias	35,47 € 25,86 € 25,38 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.7 kV	48 A	45 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	284 W	Enhancement
MOSFET de SiC 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor 1: 17,27 € 10En existencias 1.800Pedido	Fabr. N.º Ref. G3R160MT17D N.º Ref. Mouser 905-G3R160MT17D	GeneSiC Semiconductor	MOSFET de SiC 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET Más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	10En existencias 1.800Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: G3R160MT17D Existencias: 10 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 600 Fecha prevista: 08/01/2027 1.200 Fecha prevista: 08/02/2027 Plazo de producción de fábrica: 26 Semanas	17,27 € 15,45 € 9,74 € 8,90 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	17 A	160 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	138 W	Enhancement
MOSFET de SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor 1: 21,77 € No en almacén Plazo producción 26 Semanas	Fabr. N.º Ref. G3R40MT12K N.º Ref. Mouser 905-G3R40MT12K	GeneSiC Semiconductor	MOSFET de SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 26 Semanas	21,77 € 21,54 € 13,85 € 13,14 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A	40 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	88 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement

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