Resistencias de derivación GMR100 en chip

Las resistencias de derivación GMR100 en chip de ROHM Semiconductor ofrecen una potencia nominal de 5 W (a una temperatura del electrodo TK = +110 °C) y de 7 W (a una temperatura del electrodo TK = +70 °C) en un encapsulado de tamaño 2512 (6,4 mm x 3,2 mm). La resistencia de derivación GMR100 resulta ideal para la detección de corriente en circuitos de alta intensidad. Es perfecta para equipos que requieren una potencia elevada, como los sistemas de a bordo de vehículos y los equipos industriales, así como para grandes electrodomésticos. Además de ofrecer valores de resistencia estables en condiciones de sobrecorriente, la GMR100 de ROHM Semiconductor presenta un excelente coeficiente de temperatura de la resistencia (TCR) incluso en el rango de baja resistencia, lo que la hace altamente precisa y fiable. Dado que el encapsulado es de tamaño 6432 (2512 pulgadas), compatible con el nivel de los productos habituales, el usuario puede sustituirlos fácilmente.