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NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 3.6 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

863-NTMFWS1D5N08XT1G

Fabr. N.º:

NTMFWS1D5N08XT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO8FL-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	253 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.43 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.6 V
Qg (carga de compuertas):	83 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	194 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia delantera: mín.:	176 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Serie:	NTMFWS1D5N08X
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	43 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns

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Hoja de datos

NTMFWS1D5N08XT1G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Cloud/Data Center Power Management Solutions

Cloud and data center power infrastructure is entering an unprecedented period of growth, driven by hyperscale expansion, AI workloads, and the rapid rise of data‑intensive applications. As cloud service providers and enterprise data centers scale global footprints, efficient, reliable power delivery has become a critical enabler of performance, availability, and total cost of ownership.

NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET

onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET incorporates a low Q_RR and soft recovery body diode, reducing switching losses. The NTMFWS1D5N08X device offers low R_DS(on) to minimize conduction losses, ensuring efficient operation. Additionally, its low Q_G and capacitance contribute to minimizing driver losses. onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

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NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

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NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

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This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

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Pedido:: 5.870

Fecha prevista: 21/08/2026

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Fecha prevista: 01/01/2027

1.500

Fecha prevista: 13/01/2027
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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	1,30 €	1.950,00 €

NTMFWS1D5N08XT1G

Fabr.: onsemi

Descripción: MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Especificaciones

Documentos (4)

Hoja de datos

PCN

Documentos medioambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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