MOSFET de potencia de canal P de 12 V-250 V

Los MOSFET de potencia de canal P de 12 V-250 V de Infineon ofrecen al diseñador una nueva opción que puede simplificar los circuitos al mismo tiempo que optimiza el rendimiento. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de potencia media y baja. Los MOSFET de potencia de canal P son ideales para la protección de baterías, la protección contra inversión de la polaridad, cargadores de batería lineales, conmutación de cargas, convertidores CC-CC y aplicaciones de accionamiento de baja tensión.