NVXK2TR80WDT

onsemi
863-NVXK2TR80WDT
NVXK2TR80WDT

Fabr.:

Descripción:
Módulos MOSFET APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
20 A
116 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 40 C
+ 175 C
82 W
NVXK2TR80WDT
Tube
Marca: onsemi
Configuración: Dual Half-Bridge
Tiempo de caída: 9 ns
Altura: 5.8 mm
Longitud: 44.2 mm
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento: 12 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 60
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Nombre comercial: EliteSiC
Tipo: Half-Bridge
Tiempo de retardo de conexión típico: 12 ns
Anchura: 29 mm
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país puede cambiar en el momento del envío.

NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR80WDT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 20A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR80WDT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET module is ideally used in HV DC-DC and onboard chargers in xEV applications.

En existencias: 48

Existencias:
48 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
19 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
42,30 € 42,30 €
33,18 € 331,80 €
32,81 € 3.937,20 €

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