Transistores – Mouser España

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CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche	Polaridad de transistor
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 25,49 € 1.202En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R014M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R014M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	1.202En existencias	25,49 € 16,80 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,42 € 617En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMBG120R045M1HXTMA1 N.º Ref. Mouser 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	617En existencias	Cinta extraída 11,42 € 7,09 € 6,68 € 6,36 € Bobina 6,22 € MouseReel Disponible	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	SiC MOSFETS		SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,00 € 368En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R140M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	368En existencias	6,00 € 4,26 € 3,66 € 3,44 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 IMZC120R034M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 10,78 € 683En existencias 240Fecha prevista: 19/10/2026 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. IMZC120R034M2HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZC120R034M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 Más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	683En existencias 240Fecha prevista: 19/10/2026	10,78 € 5,96 € 5,64 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 43,71 € 721En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R007M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R007M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	721En existencias	43,71 € 33,39 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,17 € 900En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R060M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	900En existencias	9,17 € 5,62 € 5,19 € 4,91 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package IMZA120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,08 € 603En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA120R030M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA120R030M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package	Hoja de datos	603En existencias	15,08 € 8,72 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	MOSFETs	Si
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 20,65 € 333En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R020M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R020M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	333En existencias	20,65 € 12,14 € 12,11 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,20 € 386En existencias 720Fecha prevista: 16/10/2026 NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R090M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	386En existencias 720Fecha prevista: 16/10/2026	8,20 € 4,42 € 4,08 € 3,69 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,60 € 3.907En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R220M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	3.907En existencias	5,60 € 3,19 € 2,92 € 2,76 € 2,67 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,31 € 480En existencias 480Fecha prevista: 01/10/2026 NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R090M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	480En existencias 480Fecha prevista: 01/10/2026	8,31 € 4,70 € 4,34 € 3,98 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 27,90 € 570En existencias 720Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA120R014M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA120R014M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	570En existencias 720Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZA120R014M1HXKSA1 Existencias: 570 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 240 Fecha prevista: 15/10/2026 480 Fecha prevista: 15/11/2026 Plazo de producción de fábrica: 60 Semanas	27,90 € 20,19 € 17,93 € 17,92 € Cotización Cotización	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,21 € 957En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA120R040M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA120R040M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	957En existencias	12,21 € 6,84 € 6,64 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,00 € 480Fecha prevista: 08/10/2026 NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R030M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	480Fecha prevista: 08/10/2026	15,00 € 9,22 € 8,32 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,13 € 8En existencias 2.640Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R040M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R040M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	8En existencias 2.640Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMW120R040M1HXKSA1 Existencias: 8 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 240 Fecha prevista: 15/10/2026 1.440 Fecha prevista: 19/11/2026 960 Fecha prevista: 03/12/2026 Plazo de producción de fábrica: 53 Semanas	12,13 € 6,91 € 6,48 € 6,27 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,32 € 73En existencias 240Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R140M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	73En existencias 240Pedido	6,32 € 3,67 € 3,37 € 3,16 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,07 € 53En existencias 960Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R350M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	53En existencias 960Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMW120R350M1HXKSA1 Existencias: 53 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 240 Fecha prevista: 19/11/2026 720 Fecha prevista: 10/12/2026 Plazo de producción de fábrica: 53 Semanas	5,07 € 2,69 € 2,49 € 2,28 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,95 € 22En existencias 2.160Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R220M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	22En existencias 2.160Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZ120R220M1HXKSA1 Existencias: 22 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 960 Fecha prevista: 18/03/2027 1.200 Fecha prevista: 29/04/2027 Plazo de producción de fábrica: 53 Semanas	6,95 € 3,67 € 3,38 € 2,95 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,49 € 184En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R350M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Hoja de datos	184En existencias	5,49 € 3,11 € 2,86 € 2,59 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 44,01 € 5En existencias 1.200Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA120R007M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA120R007M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	5En existencias 1.200Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZA120R007M1HXKSA1 Existencias: 5 Puede enviarse inmediatamente Pedido: 480 Fecha prevista: 03/12/2026 720 Fecha prevista: 24/12/2026 Plazo de producción de fábrica: 53 Semanas	44,01 € 33,69 € 33,66 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 240	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,91 € 2.160Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMZ120R030M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	2.160Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMZ120R030M1HXKSA1 Existencias: 0 Pedido: 720 Fecha prevista: 22/10/2026 1.440 Por determinar Plazo de producción de fábrica: 52 Semanas	13,91 € 8,80 € 8,33 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 20,37 € 2.877Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMZA120R020M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMZA120R020M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	2.877Pedido	20,37 € 12,38 € 12,23 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,53 € 1.440Pedido NRND	Fabr. N.º Ref. IMW120R060M1HXKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFET de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	1.440Pedido En las fechas de envío del pedido Fabr. N.º: IMW120R060M1HXKSA1 Existencias: 0 Pedido: 240 Fecha prevista: 26/10/2026 1.200 Fecha prevista: 29/10/2026 Plazo de producción de fábrica: 53 Semanas	9,53 € 6,16 € 5,17 € 4,62 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel

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