IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs

IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs are N-channel enhancement-mode devices with either 10.6mΩ, 13mΩ, or 21mΩ RDS(on) and a 200V maximum drain-source voltage. The IXT MOSFETs are available in TO-220, TO-247, TO-263, or TO-268 standard package style that is avalanche-rated with high-power density. The IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs are ideal for use in switch-mode and resonant-mode power supplies.

Resultados: 9
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
2.004En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
Hoja de datos
354En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
719En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
Hoja de datos
502En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Hoja de datos
268En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 220A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
1.208En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 5.5 mOhms 20 V 4.5 V 157 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
620Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 94A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
870Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
450Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube