High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Resultados: 69
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3.278En existencias
17,03 €
10,19 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 26En existencias
2.400Pedido
Cinta extraída
10,01 €
7,08 €
5,25 €
4,97 €
Bobina
4,97 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7 237En existencias
Cinta extraída
21,04 €
15,71 €
13,59 €
12,18 €
Bobina
12,18 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220 335En existencias
1.000Fecha prevista: 13/11/2026
22,87 €
18,31 €
15,83 €
14,19 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2 343En existencias
Cinta extraída
10,98 €
6,30 €
5,81 €
5,50 €
Bobina
5,50 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24 382En existencias
31,53 €
23,44 €
22,24 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247 626En existencias
10,59 €
6,06 €
5,62 €
5,38 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/60MOSICFETG4TO263 1.266En existencias
Cinta extraída
6,77 €
3,66 €
3,62 €
3,49 €
Bobina
3,49 €
3,05 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583En existencias
11,09 €
6,23 €
5,78 €
5,56 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24 1.142En existencias
18,20 €
11,10 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-3 202En existencias
25,27 €
18,86 €
18,79 €
16,85 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3 513En existencias
23,01 €
14,28 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247 1.258En existencias
13,32 €
7,94 €
6,76 €
6,22 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263-7 279En existencias
Cinta extraída
25,44 €
20,15 €
18,79 €
16,99 €
Bobina
16,99 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO26 618En existencias
Cinta extraída
16,54 €
10,37 €
10,07 €
Bobina
9,68 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-3 699En existencias
10,40 €
5,72 €
5,71 €
5,38 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562En existencias
12,01 €
8,51 €
7,45 €
6,28 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3 892En existencias
22,07 €
14,19 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247 1.166En existencias
13,12 €
9,95 €
9,39 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24 610En existencias
25,38 €
16,85 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220 475En existencias
10,31 €
5,94 €
5,50 €
5,12 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263 648En existencias
Cinta extraída
12,07 €
6,91 €
6,54 €
Bobina
6,54 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/7MOSICFETG3TO247-4 445En existencias
67,00 €
57,34 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO247-4 466En existencias
60,76 €
49,97 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/9MOSICFETG3TO247-4 358En existencias
61,44 €
48,48 €
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET