MXP075 MaxSiC® 750V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750V N-Channel MOSFETs feature a 750V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 208W (Tc = 25°C) and continuous drain current of 51A (Tc = 25°C). The Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC 750V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in the TO-247AD 4L package. Users design these MOSFETs into chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Vishay / Siliconix MOSFET de SiC 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Fecha prevista: 14/04/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET de SiC 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Fecha prevista: 14/04/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement