RxP120BLFRA Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RxP120BLFRA Power MOSFETs are automotive-grade MOSFETs that are AEC-Q101 qualified. The devices supply 100V drain-source breakdown voltage, 62mΩ static drain-source on-state resistance, and ±12A continuous drain current. The ROHM RxP120BLFRA Power MOSFETs are ideal for automotive applications, including ADAS, infotainment, lighting, and body.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET DFN7 N CHAN 100V
Hoja de datos
2.935En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 61 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT N CHAN 100V
Hoja de datos
3.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 62 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape