Semiconductores discretos – Mouser España

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TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

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Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Empaquetado / Estuche
IGBT INDUSTRY IKB40N65EH5ATMA1 Infineon Technologies 1: 4,13 € 1.240En existencias	Fabr. N.º Ref. IKB40N65EH5ATMA1 N.º Ref. Mouser 726-IKB40N65EH5ATMA1	Infineon Technologies	IGBT INDUSTRY Más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	1.240En existencias	Cinta extraída 4,13 € 2,82 € 2,06 € 1,75 € Bobina 1,59 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	IGBTs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 1: 6,06 € 478En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IKW40N65RH5XKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IKW40N65RH5XKSA1 NRND	Infineon Technologies	IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode	Hoja de datos	478En existencias	6,06 € 3,47 € 2,90 € 2,67 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	IGBTs	Si	Through Hole
IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 1: 7,50 € 263En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IKZA50N65RH5XKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IKZA50N65RH5XKSA NRND	Infineon Technologies	IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode	Hoja de datos	263En existencias	7,50 € 4,37 € 3,65 € 3,54 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-247-4
IGBT DISCRETE SWITCHES AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies 1: 5,00 € 382En existencias	Fabr. N.º Ref. AIKB50N65DH5ATMA1 N.º Ref. Mouser 726-AIKB50N65DH5ATMA	Infineon Technologies	IGBT DISCRETE SWITCHES Más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	382En existencias	Cinta extraída 5,00 € 3,34 € 2,49 € 2,18 € Bobina 2,06 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	IGBTs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode IKW50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 1: 6,97 € 514En existencias NRND	Fabr. N.º Ref. IKW50N65RH5XKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IKW50N65RH5XKSA1 NRND	Infineon Technologies	IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode	Hoja de datos	514En existencias	6,97 € 4,91 € 3,96 € 3,53 € 3,13 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-247-3
IGBT DISCRETE SWITCHES AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon Technologies 1: 4,23 € 396En existencias	Fabr. N.º Ref. AIKB40N65DH5ATMA1 N.º Ref. Mouser 726-AIKB40N65DH5ATMA	Infineon Technologies	IGBT DISCRETE SWITCHES Más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	396En existencias	Cinta extraída 4,23 € 2,79 € 2,03 € 1,73 € Bobina 1,57 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 : 1.000	IGBTs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
Módulos IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 Infineon Technologies 1: 68,85 € 8En existencias	Fabr. N.º Ref. FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 N.º Ref. Mouser 726-FS3L40R07W2H5FB1	Infineon Technologies	Módulos IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module Más información sobre Infineon Technologies infineon easypack 2b power modules	Hoja de datos	8En existencias	68,85 € 55,26 € 52,49 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	IGBT Modules	Si
IGBT DISCRETE SWITCHES AIGB15N65H5ATMA1 Infineon Technologies 1.000: 4,21 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. AIGB15N65H5ATMA1 N.º Ref. Mouser 726-AIGB15N65H5ATMA1 NRND	Infineon Technologies	IGBT DISCRETE SWITCHES Más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	Bobina 4,21 €	Mín.: 1.000 Múlt.: 1.000 : 1.000	IGBTs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBT DISCRETE SWITCHES AIGB30N65H5ATMA1 Infineon Technologies 1.000: 1,94 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. AIGB30N65H5ATMA1 N.º Ref. Mouser 726-AIGB30N65H5ATMA1 NRND	Infineon Technologies	IGBT DISCRETE SWITCHES Más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	Bobina 1,94 €	Mín.: 1.000 Múlt.: 1.000 : 1.000	IGBTs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBT DISCRETE SWITCHES AIGB40N65H5ATMA1 Infineon Technologies 1.000: 1,96 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. AIGB40N65H5ATMA1 N.º Ref. Mouser 726-AIGB40N65H5ATMA1 NRND	Infineon Technologies	IGBT DISCRETE SWITCHES Más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	Bobina 1,96 €	Mín.: 1.000 Múlt.: 1.000 : 1.000	IGBTs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBT DISCRETE SWITCHES AIGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies 1.000: 2,35 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. AIGB50N65H5ATMA1 N.º Ref. Mouser 726-AIGB50N65H5ATMA1 NRND	Infineon Technologies	IGBT DISCRETE SWITCHES Más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop5 h5 igbts	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	Bobina 2,35 €	Mín.: 1.000 Múlt.: 1.000 : 1.000	IGBTs	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)
IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 1: 8,86 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IKW75N65RH5XKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IKW75N65RH5XKSA1 NRND	Infineon Technologies	IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	8,86 € 6,26 € 5,22 € 4,65 € 4,35 €	Mín.: 1 Múlt.: 1	IGBTs	Si	Through Hole	TO-247-3
IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode IKZA40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 240: 3,83 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IKZA40N65RH5XKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IKZA40N65RH5XKSA NRND	Infineon Technologies	IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	3,83 € 3,40 €	Mín.: 240 Múlt.: 240	IGBTs	Si	Through Hole
IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies 240: 5,67 € No en almacén Plazo producción 52 Semanas NRND	Fabr. N.º Ref. IKZA75N65RH5XKSA1 N.º Ref. Mouser 726-IKZA75N65RH5XKSA NRND	Infineon Technologies	IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode	Hoja de datos	No en almacén Plazo producción 52 Semanas	5,67 € 5,05 €	Mín.: 240 Múlt.: 240	IGBTs	Si	Through Hole	TO-247-4