Resistencias en chip de alta potencia y película gruesa ALN

Las resistencias en chip de alta potencia y película gruesa ALN de Ohmite presentan un elemento de película gruesa para un rendimiento estable con valores de coeficiente de temperatura de resistencia (TCR) de hasta ±150 ppm. Las resistencias ALN de Ohmite incluyen un sustrato de nitruro de aluminio para potencias nominales superiores a las de las partes comunes en el mismo tamaño de chip. La serie ofrece una potencia nominal de 3,5 W a +70°C y un máximo de 22 W si el sustrato puede mantenerse por debajo de +155°C. Las terminaciones de envoltura permiten una gran adherencia de la soldadura al chip. Las resistencias ALN están disponibles en un tamaño estándar dentro del sector (2512).