SIC10A065T-AU_T0_000A1

Panjit
241-SIC10A065TAUT000
SIC10A065T-AU_T0_000A1

Fabr.:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC PJ/10A065T/TP//HF/0.05K/TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH/SIC100W-QI01/PJ//TO220AC-AS06/TO220AC-AS01

Ciclo de vida:
NRND:
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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Panjit
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
10 A
650 V
1.5 V
400 A
20 uA
+ 175 C
650 V
AEC-Q101
Tube
Marca: Panjit
Pd (disipación de potencia): 115 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Peso unitario: 1,890 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT Silicon-Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes with low forward-voltage and zero reverse recovery current ensure cooler system temperature under harsh operating conditions of power conversion systems. These SiC diodes feature low conduction and switching loss, high surge current capability, temperature-independent switching behavior, and positive temperature co-efficient on VF. The SiC diodes are available at a range of 2A to 20A forward current (IF) and 650V to 1200V Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) ratings. These hard switching and highly reliable diodes operate at high-frequency and offer high system efficiency. The SiC Schottky diodes are ideal for high-temperature applications.

Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
22 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 2000   Múltiples: 50
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
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Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
4,41 € 8.820,00 €