CGHV14800F

MACOM
941-CGHV14800F
CGHV14800F

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
MACOM
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
Screw Mount
440117
N-Channel
150 V
24 A
- 3.8 V
- 40 C
+ 100 C
Marca: MACOM
Kit de desarrollo: CGHV14800F-TB
Ganancia: 14 dB
Frecuencia operativa máxima: 1.4 GHz
Frecuencia operativa mínima: 1.2 GHz
Energía de salida: 800 W
Empaquetado: Tray
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 10
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente): - 10 V to 2 V
Peso unitario: 71 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

CGHV14800 GaN HEMT

MACOM CGHV14800F 800W Gallium-Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed specifically for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The module is ideal for 1.2GHz to 1.4GHz L-band radar amplifier applications, such as air traffic control (ATC), weather, penetration, and military. MACOM CGHV14800F GaN HEMT operates at 50V, typically delivering more than 65% drain efficiency. This device is supplied in a ceramic/metal flange type 440117 package.

Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 10   Múltiples: 10
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
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