Módulos MOSFET – Mouser España

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NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

onsemi NXH011F120M3F2 EliteSiC SiC MOSFET Modules is equipped with an 11mΩ/1200V SiC M3S MOSFET full-bridge configuration. The modules integrate a thermistor and an HPS DBC in an F2 package, enabling compact, high-efficiency power-conversion designs. The onsemi NXH011F120M3F2 offers two types of pre-applied thermal interface material and one without pre-applied TIM. The modules also feature press-fit pins and Pb-free, halide-free, and RoHS-compliant construction for power module integration.

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Seleccionar	Imagen	Número de referencia	Fabr.	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.	Cant.	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Polaridad de transistor	Número de canales	Vds (Tensión separación drenador-fuente)	Id: corriente de drenaje continuo	Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)	Vgs (tensión de compuerta-fuente)	Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)	Temperatura operativa mínima	Temperatura operativa máxima	Pd (disipación de potencia)	Empaquetado
	Módulos MOSFET 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package NXH015F120M3F1P1TG onsemi 1: 66,00 € 28En existencias Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. NXH015F120M3F1P1TG N.º Ref. Mouser 863-H015F120M3F1P1TG Nuevo producto	onsemi	Módulos MOSFET 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package Más información sobre onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Hoja de datos	28En existencias	66,00 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	77 A	19 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	198 W	Tray
	Módulos MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package NXH011F120M3F2P1THG onsemi 1: 130,57 € 20Fecha prevista: 14/12/2026 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. NXH011F120M3F2P1THG N.º Ref. Mouser 863-011F120M3F2P1THG Nuevo producto	onsemi	Módulos MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package Más información sobre onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Hoja de datos	20Fecha prevista: 14/12/2026	130,57 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	105 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	244 W	Tray
	Módulos MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package NXH011T120M3F2P1THG onsemi 1: 114,29 € 20Fecha prevista: 14/12/2026 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. NXH011T120M3F2P1THG N.º Ref. Mouser 863-011T120M3F2P1THG Nuevo producto	onsemi	Módulos MOSFET Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package Más información sobre onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Hoja de datos	20Fecha prevista: 14/12/2026	114,29 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	91 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	272 W	Tray
	Módulos MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PG onsemi 1: 62,52 € 28Fecha prevista: 16/02/2027 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. NXH006P120M3F1PG N.º Ref. Mouser 863-NXH006P120M3F1PG Nuevo producto	onsemi	Módulos MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Más información sobre onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Hoja de datos	28Fecha prevista: 16/02/2027	62,52 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	200 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	333 W	Tray
	Módulos MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PNG onsemi 1: 71,30 € 28Fecha prevista: 16/02/2027 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. NXH006P120M3F1PNG N.º Ref. Mouser 863-XH006P120M3F1PNG Nuevo producto	onsemi	Módulos MOSFET EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Más información sobre onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Hoja de datos	28Fecha prevista: 16/02/2027	71,30 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	240 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	500 W	Tray
	Módulos MOSFET EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH008P120M3F1PNG onsemi 1: 69,03 € 28Fecha prevista: 16/02/2027 Nuevo producto	Fabr. N.º Ref. NXH008P120M3F1PNG N.º Ref. Mouser 863-XH008P120M3F1PNG Nuevo producto	onsemi	Módulos MOSFET EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Más información sobre onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules	Hoja de datos	28Fecha prevista: 16/02/2027	69,03 €	Mín.: 1 Múlt.: 1 Máx.: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	145 A	10.9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	382 W	Tray