Resultados: 11
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
740En existencias
2.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
177En existencias
2.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
561En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
46En existencias
2.000Fecha prevista: 10/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
5.092En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
294En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
1.609En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
61En existencias
3.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
200En existencias
1.000Fecha prevista: 10/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
2.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
Hoja de datos
2.000Fecha prevista: 17/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement