AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (Tc) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.

Resultados: 8
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Tipo
Tecnología
Vf - Tensión delantera
Vr - Tensión inversa
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Hoja de datos
9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.8 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 175 C
Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Hoja de datos
3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C
Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Hoja de datos
1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Hoja de datos
1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 2
Múlt.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C