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EPC2305

Name: EPC EPC2305
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2305
Price: 7.58 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

65-EPC2305

Fabr. N.º:

EPC2305

Fabr.:

EPC

Descripción:

FET de GaN EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

EPC2305 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	133 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, 6 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	22 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Tecnología:	GaN
Marca:	EPC
Configuración:	Single
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	31,200 mg

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Hoja de datos

EPC2305 Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290040
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2305 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is available in a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management. The EPC2305 features 150V drain-source breakdown voltage (continuous) V_DS and 2.2mΩ typical and 3mΩ maximum drain-source on resistance R_DS(on). This power resistor from EPC provides efficient operation in many topologies, thanks to the ultra-low capacitance and zero reverse recovery (Q_RR) of the eGaN^® FET. Typical applications for the EPC2305 include phones, notebooks, gaming PCs, power tools, home robotics, e-mobility, and solar.

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	7,58 €	7,58 €
	4,13 €	41,30 €
	3,80 €	380,00 €
	3,76 €	1.880,00 €
	3,44 €	3.440,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	3,19 €	9.570,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

EPC2305

Fabr.: EPC

Descripción: FET de GaN EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm

Especificaciones

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