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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1.034En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
683En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
212En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
84En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
141En existencias
450Fecha prevista: 03/03/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
409En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
184En existencias
900Fecha prevista: 24/05/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
4.934Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
2.540Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1.291Fecha prevista: 25/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

ROHM Semiconductor Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1