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QPD0020TR7

Name: Qorvo QPD0020TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0020TR7
Price: 64.71 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

772-QPD0020TR7

Fabr. N.º:

QPD0020TR7

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

FET de GaN DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Hoja de datos:

QPD0020TR7 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-20
Frecuencia operativa máxima:	2.69 GHz
Frecuencia operativa mínima:	2.62 GHz
Tecnología:	GaN
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	QPD0020EVB02
Ganancia:	16.7 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	34.7 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD0020
Cantidad del paquete de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	HEMT
Alias de parte #:	QPD0020

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Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.

PRODUCTOS DESTACADOS

QORVO

QPD1000A GaN Input Matched Transistor

50Ω input-matched discrete GaN-on-SiC HEMT that operates from 30MHz-1215MHz on a 28V supply rail.

Más información

QPD2562L GaN RF Power Transistor

A 200W to 300W discrete GaN-on-SiC HEMT that operates from 2.5GHz to 2.9GHz and 2.9GHz to 3.3GHz.

Más información

QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

220W discrete GaN-on-SiC HEMTs that operate from 1.2GHz to 1.4GHz.

Más información

QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.

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QPD1014A GaN Input Matched Transistors

15W (P_3dB), 50Ω input matched discrete GaN-on-SiC HEMTs operating from 30MHz to 1.2GHz.

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	64,71 €	64,71 €
	53,46 €	534,60 €
	50,64 €	1.266,00 €
	50,01 €	5.001,00 €
	50,00 €	12.500,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 500)
	47,91 €	23.955,00 €

QPD0020TR7

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Fabr.: Qorvo

Descripción: FET de GaN DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Especificaciones

Documentos (1)

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Documentos medioambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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QPD0020 GaN RF Power Transistors

PRODUCTOS DESTACADOS QORVO

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Qorvo

Descripción:

FET de GaN DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

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