π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

Resultados: 68
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Toshiba MOSFET N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029 1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 27 mOhms 20 V 3.5 V 160 nC - 55 C + 150 C 410 W Enhancement MOSVII
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51 240En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2.5 A 2.51 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm 2.629En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.3 Ohms 30 V 4.4 V 11 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ 3.266En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 13 A 250 mOhms 20 V 1.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm 1.997En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3 A 3 Ohms 30 V 2.4 V 7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72 220En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10 A 620 mOhms 30 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029 103En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 450 V 11 A 500 mOhms 30 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55 199En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 550 mOhms 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47 112En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12.5 A 390 mOhms 30 V 4 V 28 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40 148En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 400 mOhms 45 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25 40En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 13 A 250 mOhms 102 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ 83En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 18 A 139 mOhms 20 V 1.5 V 60 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27 2En existencias
150Fecha prevista: 18/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18 A 270 mOhms 30 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25 53En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 19 A 250 mOhms 50 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26 191En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 3.26 Ohms 30 V 2.4 V 9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm 41En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.5 A 2.8 Ohms 30 V 2.4 V 9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm 134En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3 A 2.25 Ohms 30 V 2.4 V 11 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm 267En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 4 A 2 Ohms 30 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm 55En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 2 Ohms 30 V 4.4 V 11 nC + 150 C 80 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ 1.354En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.7 Ohms 30 V 2.4 V 12 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm 250En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 5 A 1.7 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm 164En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.43 Ohms 30 V 2 V 16 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET TO220 800V 5A N-CH MOSFET 147En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.4 Ohms 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm 337En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 1.11 Ohms 30 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22 5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7 A 1 Ohms 30 V 4.4 V 12 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube