OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs are ideal for USB-PD and fast-charger designs, supporting short lead and quick-quote response times. The logic-level MOSFETs in PQFN 3.3mm x 3.3mm and SuperSO8 packages have been optimized for synchronous rectification in charger and adapter 25V to 150V SMPS applications. The logic-level drive provides a low gate threshold voltage (VGS(th)), allowing low- and medium-voltage MOSFETs to be driven from 4.5V or directly from microcontrollers, leading to a lower part count in the application.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
8.119En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.8 mOhms 20 V 2.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
384En existencias
5.000Fecha prevista: 24/09/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 4.5 mOhms 20 V 2.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Hoja de datos
296En existencias
25.000Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 7.3 mOhms 20 V 2.3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
Hoja de datos
25.005Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.6 mOhms 20 V 2.3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 71 A 7.8 mOhms 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel