PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

Resultados: 9
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Tecnología
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
374En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
712En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
768En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
728En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
790En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
792En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
552En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
2.500Fecha prevista: 20/11/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DPAK-2 N-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement GaN
STMicroelectronics FET de GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si