SGT080R70ILB

STMicroelectronics
511-SGT080R70ILB
SGT080R70ILB

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: FET de GaN
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-8
700 V
29 A
80 mOhms
- 6 V, + 7 V
2.5 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Producto: FET
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de establecimiento: 4 ns
Serie: SGT
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo: PowerGaN Transistor
Tiempo típico de retraso de apagado: 5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 3 ns
Peso unitario: 154 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN Transistor is an enhancement-mode transistor designed for high-efficiency power conversion applications. Featuring a drain-source voltage rating of 700V and a typical on-resistance of just 80mΩ, the STMicroelectronics SGT080R70ILB leverages the superior switching performance of Gallium Nitride (GaN) technology to minimize conduction and switching losses. Housed in a compact PowerFLAT 8x8 HV package, the transistor supports high-frequency operation and is ideal for use in resonant converters, power factor correction (PFC) stages, and DC-DC converters. A low gate charge and output capacitance enable faster transitions and reduced energy dissipation, making the SGT080R70ILB well-suited for demanding applications in consumer electronics, industrial systems, and data centers.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

En existencias: 692

Existencias:
692 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™ †
5,89 € 5,89 €
3,96 € 39,60 €
2,87 € 287,00 €
2,69 € 1.345,00 €
2,34 € 2.340,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
2,28 € 6.840,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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