IS20M8R0S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M8R0S1P
IS20M8R0S1P

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-CH 200V 128A TO-220

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
iDEAL Semiconductor
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
128 A
8.3 mOhms
20 V
4.1 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
Tube
Marca: iDEAL Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5.5 ns
Transconductancia delantera: mín.: 37 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 5.9 ns
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 41.8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 18.7 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
Estados Unidos
El país puede cambiar en el momento del envío.

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for high-efficiency SMPS and motor drive applications. This MOSFET delivers low RDS(on) and QSW, resulting in lower switching losses and reduced heat dissipation at both full and partial loads. Typical applications include motor control, boost converters, and SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

Disponibilidad

Existencias:
0

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Pedido:
1.000
Fecha prevista: 07/09/2026
Plazo de producción de fábrica:
8
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,07 € 5,07 €
3,32 € 33,20 €
2,44 € 244,00 €
2,18 € 1.090,00 €
1,92 € 1.920,00 €
1,83 € 4.575,00 €
1,76 € 8.800,00 €

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