Todos los resultados (160)

Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
EPC FET de GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 734En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

EPC Controladores láser IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC 1.990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC Controladores láser IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC 2.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 8.968En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0 9.095En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 6.768En existencias
7.500Fecha prevista: 11/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4.917En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 1.185En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2.345En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2.300En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/3A 10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía 500 W 12 V Input Boost Converter 18En existencias
2Fecha prevista: 11/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 2.048En existencias
5.000Fecha prevista: 10/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC Controlador de puerta EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage 13En existencias
3.000Fecha prevista: 24/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2.002En existencias
3.000Fecha prevista: 18/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

EPC Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía Half-Bridge Development Board, 100V/40A 1En existencias
20Fecha prevista: 20/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
30.523Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
27.099Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
12.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

EPC FET de GaN EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
62.953Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

EPC Efficient Power Conversion
2.500Fecha prevista: 17/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Efficient Power Conversion
2.500Fecha prevista: 21/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Efficient Power Conversion
500Fecha prevista: 21/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

EPC Efficient Power Conversion
1.224Fecha prevista: 18/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1