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STB33N60DM2

Name: STMicroelectronics STB33N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB33N60DM2
Price: 5.13 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STB33N60DM2

Fabr. N.º:

STB33N60DM2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	24 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	130 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	43 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	190 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Serie:	STB33N60DM2
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	62 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Peso unitario:	4 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de potencia de canal N FDmesh II Plus™ STx24N60DM2

Los MOSFET de potencia de canal N FDmesh II Plus™ STx24N60DM2 de STMicroelectronics se fabrican mediante una nueva generación de tecnología MDmesh™: MDmesh II Plus™ de nivel bajo de Q_g. Estos revolucionarios MOSFET asocian una estructura vertical a la distribución en tiras para conseguir niveles de resistencia de encendido y de carga de compuertas bajos. Son adecuados para convertidores de alta eficiencia exigentes y representan la opción perfecta para topologías de puente y convertidores con cambio de fase ZVS.
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Existencias:: 848 Puede enviarse inmediatamente

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Plazo de producción de fábrica:: 24 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,13 €	5,13 €
	2,69 €	26,90 €
	2,46 €	246,00 €
	2,24 €	1.120,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	1,91 €	1.910,00 €
	1,90 €	3.800,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

STB33N60DM2

Fabr.: STMicroelectronics

Descripción: MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package Complete su diseño

Especificaciones

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