Wolfspeed / Cree HEMT GaN de 6 GHz CGHV600
Los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN ) de 6 GHz CGHV600 de Cree ofrecen mejor rendimiento en comparación con los transistores de silicio (Si) o de arseniuro de galio (GaAs). Los HEMT GaN CGHV600 ofrecen una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica. Además, estos transistores ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplio. Los dispositivos de la serie CGHV600 son ideales para su uso en varias aplicaciones, como infraestructura de telefonía móvil y amplificadores de clase A, AB y lineales.
The CGHV60040D and CGHV60075D5 6.0GHz GaN HEMTs are offered as bare die. The overall die size of the CGHV60040D is 820μm x 1800μm x 100μm. The overall die size of the CGHV60075D5 is 3000μm x 820μm x 100μm.
Aplicaciones
- 2-Way Private Radio
- Broadband Amplifiers
- Cellular Infrastructure
- Test Instrumentation
- Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms
Características
- CGHV60040D
- 18dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 40W typical PSAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 820μm x 1800μm x 100μm bare die
- CGHV60075D5
- 19dB typical small-signal gain at 4GHz
- 17dB typical small-signal gain at 6GHz
- 65% typical power-added efficiency
- 75W typical PSAT
- 50V operation
- High breakdown voltage
- Up to 6GHz operation
- 3000μm x 820μm x 100μm bare die
