BGB 741L7ESD E6327

Infineon Technologies
726-BGB741L7ESDE63
BGB 741L7ESD E6327

Fabr.:

Descripción:
Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS

Modelo ECAD:
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En existencias: 14.534

Existencias:
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Puede enviarse inmediatamente
Pedido:
15.000
Fecha prevista: 16/04/2026
Plazo de producción de fábrica:
12
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 7500)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
0,86 € 0,86 €
0,736 € 7,36 €
0,688 € 17,20 €
0,636 € 63,60 €
0,602 € 150,50 €
0,572 € 286,00 €
0,549 € 549,00 €
0,547 € 2.188,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 7500)
0,477 € 3.577,50 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Amplificador de RF
RoHS:  
50 MHz to 3.5 GHz
1.8 V to 4 V
10 mA
20 dB
1.05 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSLP-7-1
SiGe
- 6.5 dBm
1 dBm
- 55 C
+ 150 C
BGB741L7
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Número de canales: 1 Channel
Pd (disipación de potencia): 120 mW
Tipo de producto: RF Amplifier
Cantidad del paquete de fábrica: 7500
Subcategoría: Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba: 150 MHz
Alias de parte #: SP000442946 BGB741L7ESDE6327XT BGB741L7ESDE6327XTSA1
Peso unitario: 2 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542330001
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ N-Channel MOSFETs

Infineon CoolMOS™ N-Channel Power MOSFETs set the standard for high performance and energy efficiency. The Infineon OptiMOS low voltage MOSFET family demonstrates a combination of the industry's lowest on-state resistance and best switching performance in the voltage range from 20V up to 250V. The new OptiMOS 25V and 30V product family sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. These devices are application-specific optimized for power supplies of servers, notebooks, telecom / datacom switches, and more. The revolutionary Infineon CoolMOS power family sets new standards in energy efficiency and is a technology leader in high voltage MOSFETs. The CoolMOS offers a significant reduction of conduction and switching losses and enables high power density and efficiency for superior power conversion systems. CoolMOS C6 / E6 Power MOSFETs combine the advantage of state-of-the-art superjunction devices with the strengths of conventional power semiconductors. Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.