+ 150 C Amplificador de RF

Resultados: 40
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación Voltaje operativo de suministro Corriente de suministro operativa Ganancia NF - Valor de ruido Tipo Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Tecnología P1dB - Punto de compresión OIP3 - Interceptación de tercer pedido Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Cualificación Serie Empaquetado
MACOM Amplificador de RF 35W GaN MMIC 28V 9 to 10GHz Flange
240En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

9 GHz to 11 GHz 28 V 1.5 A 23 dB Power Amplifiers Screw GaN - 23 dBm - 40 C + 150 C Tray
Qorvo Amplificador de RF 27-32 GHz 1 Watt Power Amp
50En existencias
Mín.: 50
Múlt.: 50

27 GHz to 31 GHz 6 V 420 mA 22 dB Power Amplifiers Si 30 dBm + 150 C TGA4509 Gel Pack
Qorvo Amplificador de RF 8.5-10.5 GHz 1W PA 1.119En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 34.4 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-12 GaAs + 150 C QPA0812 Bag
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 4.388En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

3.3 V 10 mA Power Amplifiers SMD/SMT VQFN-32 - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
Qorvo Amplificador de RF 12-16GHz Gain 23dB NF 7dB 1.540En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

11.3 GHz to 16 GHz 5 V 23 dB 7 dB Driver Amplifiers SMD/SMT QFN-16 GaAs 26 dBm 37 dBm - 40 C + 150 C TGA2524 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 5.5-8.5GHz, 30 Watt
37En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

5.5 GHz to 8.5 GHz 28 V 285 mA 25 dB Power Amplifiers Screw GaN - 20 dBm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS 6.307En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 7.500

2.3 GHz to 2.7 GHz 1.8 V to 4 V 10 mA 27 dB 0.7 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSLP-7-1 SiGe 8 dBm 19.5 dBm - 55 C + 150 C BGB707L7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS 12.534En existencias
15.000Fecha prevista: 16/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 7.500

50 MHz to 3.5 GHz 1.8 V to 4 V 10 mA 20 dB 1.05 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSLP-7-1 SiGe - 6.5 dBm 1 dBm - 55 C + 150 C BGB741L7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS 7.585En existencias
7.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 7.500

2.4 GHz, 5.6 GHz 1.8 V to 4 V 10 mA 32 dB 0.6 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSLP-7 SiGe 9.5 dBm 19.5 dBm - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Amplificador de RF RF SILICON MMIC 12.822En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

100 MHz to 3 GHz 2 V to 5 V 9.4 mA 22 dB 2.2 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT SOT-343-4 Si 7 dBm - 65 C + 150 C AEC-Q100 BGA427 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 25 Watt
10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

20 MHz to 6 GHz 50 V 500 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 32 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM Amplificador de RF GaN HEMT, MMIC, 2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4 61En existencias
100Fecha prevista: 13/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 50

500 MHz to 3 GHz 28 V 17.52 dB Power Amplifiers SMD/SMT DFN-12 GaN - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 2.5-6.0GHz, 25 Watt
9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

2.5 GHz to 6 GHz 28 V 1.2 A 24 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 26 dBm - 55 C + 150 C Tray
MACOM Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
11En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

6 GHz to 12 GHz 28 V 2 A 34 dB Power Amplifiers Screw GaN 46.2 dBm 22 dBm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Amplificador de RF RF SI MMIC-Amp SIEGET 25 Tech 1.750En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

100 MHz to 3 GHz 3 V 6.7 mA 17 dB 2.2 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT SOT-343-4 Si - 2.5 dBm 13 dBm - 65 C + 150 C AEC-Q100 BGA420 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificador de RF RF SILICON MMIC 293En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

100 MHz to 3 GHz 2 V to 5 V 25 mA 18.5 dB 2.2 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT SOT-343-4 Si 7 dBm - 65 C + 150 C AEC-Q100 BGA427 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Amplificador de RF RF SILICON MMIC 796En existencias
3.000Fecha prevista: 12/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

0 Hz to 2.4 GHz 5 V 40 mA 19 dB 2 dB Driver Amplifiers SMD/SMT SOT-343-4 SiGe 12 dBm 25 dBm - 65 C + 150 C BGA614 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Amplificador de RF RF SILICON MMIC 12En existencias
6.000Fecha prevista: 26/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

0 Hz to 2.7 GHz 6 V 60 mA 19 dB 2.5 dB Driver Amplifiers SMD/SMT SOT-343-4 SiGe 18 dBm 29 dBm - 65 C + 150 C BGA616 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt 2En existencias
50Fecha prevista: 24/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

20 MHz to 6 GHz 28 V 100 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 23 dBm - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Amplificador de RF BGA3131 2En existencias
6.000Fecha prevista: 09/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 6.000

5 MHz to 205 MHz 5 V 660 mA 37 dB 6.5 dB CATV Amplifiers SMD/SMT HVQFN-20 Si 78 dBm - 40 C + 150 C BGA3131 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificador de RF RF SILICON MMIC 793En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

0 Hz to 2.7 GHz 6 V 60 mA 18 dB 2.6 dB Gain Block Amplifiers SMD/SMT SOT-343-4 SiGe 18 dBm 29 dBm - 65 C + 150 C BGA616 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Amplificador de RF RF SILICON MMIC
2.500Fecha prevista: 06/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

3 GHz 5 V 40 mA 19 dB 2.1 dB Gain Block Amplifiers SMD/SMT SOT-343-4 SiGe 12 dBm 25 dBm - 65 C + 150 C BGA614 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

575 MHz to 1.3 GHz 48 V to 55 V 34.3 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-15 Si 43.8 dBm - 40 C + 150 C A2I09VD030 Reel
Microchip Technology Amplificador de RF 5-18 GHz Surface-Mount Amplifier with integrated bias No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 250
Múlt.: 250
5 GHz to 18 GHz 5 V 130 mA 12.5 dB 9 dB SMD/SMT QFN-16 17 dBm + 150 C
Infineon Technologies Amplificador de RF RF SI MMIC-Amp SIEGET 25 Tech No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

100 MHz to 3 GHz 3 V 6.7 mA 13 dB 2.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT SOT-343-4 Si - 2.5 dBm 13 dBm - 65 C + 150 C AEC-Q100 BGA420 Reel