Soluciones RF-IF de NXP

Las soluciones RF-IF de NXP cubren las necesidades de las aplicaciones RF más exigentes al permitir a los diseñadores cumplir las especificaciones de rendimiento más altas al tiempo que se mantienen los intercambios potenciales con respecto a los niveles de integración, consistencia, resistencia, potencia y eficiencia. La gama RF-IF de NXP cubre la mayoría de los sistemas de transmisión y comunicación, lo que facilita la localización de una solución que cubra los requisitos particulares del diseñador. Las soluciones RF-IF de NXP incluyen los bloques de construcción RF/IF serie SA6xx que resultan perfectos para diversos productos RF de mano portátiles. Disponibles en paquetes de pequeño tamaño, las soluciones SA6xx ahorran espacio en la PCB al tiempo que proporcionan un mejor rendimiento de RF.
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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación Voltaje operativo de suministro Corriente de suministro operativa Ganancia NF - Valor de ruido Tipo Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Tecnología P1dB - Punto de compresión OIP3 - Interceptación de tercer pedido Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
NXP Semiconductors MMRF2010GNR1
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

1.03 GHz to 1.09 GHz 50 V 32.6 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-14 Si - 55 C + 150 C MMRF2010 Reel
NXP Semiconductors MMRF2010NR1
NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

1.03 GHz to 1.09 GHz 50 V 32.6 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WB-14 Si - 55 C + 150 C MMRF2010 Reel
NXP Semiconductors Amplificador de RF 2.4 GHz ISM SiGe:C low-noise amp No en almacén Plazo producción 99 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

2.4 GHz to 2.5 GHz 3.3 V 13 mA 15 dB 1 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT HXSON-6 SiGe - 3 dBm 5.5 dBm - 40 C + 85 C BGU7224 Reel, Cut Tape, MouseReel