IS66WVC2M16EALL Serie SRAM

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria
Organización
Tiempo de acceso
Tipo de interfaz
Tensión del suministro - Máx
Tensión del suministro - Mín
Corriente de suministro (máx.)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500
Reel
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Reel