AS3008316-035nX0PTBY

Name: Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-38316035NX0PTBY
Price: 27.32 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

793-38316035NX0PTBY

Fabr. N.º:

AS3008316-035nX0PTBY

Fabr.:

Avalanche Technology

Descripción:

MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

Hoja de datos:

AS3008316-035nX0PTBY Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: Solicitar entrega estimada

Introducir cantidad:

Mínimo: 1056 Múltiples: 96

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	27,32 €	28.849,92 €
2.592	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Avalanche Technology
Categoría de producto:	MRAM
RoHS:
Empaquetado / Estuche:	TSOP-54
Tipo de interfaz:	Parallel
Tamaño de memoria:	8 Mbit
Organización:	512 k x 16
Anchura de bus de datos:	16 bit
Tiempo de acceso:	35 ns
Tensión del suministro - Mín:	2.7 V
Tensión del suministro - Máx:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	12 mA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 105 C
Serie:	AS3008316
Empaquetado:	Tray
Marca:	Avalanche Technology
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	96
Nombre comercial:	STT-MRAM, MRAM

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

AS3008316-035nX0PTBY Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.