ISSI DRAM

Resultados: 1.807
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo Tamaño de memoria Anchura de bus de datos Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Organización Tiempo de acceso Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
2.131Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 605
SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.2 GHz 512 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
1.609Fecha prevista: 06/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 437

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
1.310Fecha prevista: 24/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 188
Bobina: 1.500

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT
3.828Fecha prevista: 20/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 235

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
1.959Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 502

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
2.445Fecha prevista: 20/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 836

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
2.000Fecha prevista: 24/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 750
Bobina: 1.500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R
2.447Fecha prevista: 20/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 594
Bobina: 2.500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s at 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
689Fecha prevista: 22/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 81

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
418Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 131

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V, 1.7 V 1.17 V, 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
272Fecha prevista: 22/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit BGA-96 512 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
190Fecha prevista: 01/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16256B
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
190Fecha prevista: 17/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS46TR16256BL
ISSI DRAM 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V A-Temp
1.500Fecha prevista: 17/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5
Bobina: 1.500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16640ED Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
1.264Fecha prevista: 20/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 276

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
1.440Fecha prevista: 17/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 615

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
706Fecha prevista: 30/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 206

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
126Fecha prevista: 26/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 42

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
272Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 28

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.2 GHz 512 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
299Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 50

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
272Fecha prevista: 25/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 93

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI IS43LR16800G-6BLI-TR
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
1.996Fecha prevista: 17/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SDRAM Mobile - DDR 128 Mbit 16 bit 166 MHz 8 M x 16 8 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16800G Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V
190Fecha prevista: 17/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5

SDRAM - DDR3 BGA-96 20 ns IS43TR16128C
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V
190Fecha prevista: 17/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16128C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
297Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 139

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16160J