18 bit CIs de memoria

Tipos de CIs de memoria
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tamaño de memoria
Texas Instruments FIFO 512 x 18 Synchronous FIFO Memory
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 160
Múlt.: 160

FIFO SMD/SMT TQFP-64 9 kbit
Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

FIFO SMD/SMT TQFP-64 72 kbit
Renesas Electronics FIFO 256x18 3.3V SYNC FIFO
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 270
Múlt.: 90

FIFO SMD/SMT TQFP-64 4.608 kbit
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
Renesas Electronics FIFO 1Mx9 / 512Kx18 FIFO 2.5V TERASYNC
Hoja de datos
Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
No
FIFO SMD/SMT PBGA-240 9 Mbit
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 1
No
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 1
No
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit