GRF0030

Guerrilla RF
459-GRF0030
GRF0030

Fabr.:

Descripción:
Amplificador de RF Unmatched Discrete GaN-on-SiC HEMT 50W PSAT at 50V or 25W PSAT at 28V

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Modelo ECAD:
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Precio (EUR)

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54,52 € 5.452,00 €
250 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Guerrilla RF
Categoría de producto: Amplificador de RF
Reel
Cut Tape
Marca: Guerrilla RF
Tipo de producto: RF Amplifier
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Wireless & RF Integrated Circuits
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8542330000
USHTS:
8542330001

GRFx GaN HEMT Power Transistors

Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors are unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications. These transistors operate across a wide frequency range of DC to 6GHz, 7GHz, and 8GHz with an operating drain voltage of 28V and 50V. The GRFx transistors support both linear and pulsed modes and are 100% DC, and RF production tested. These transistors are housed in a compact, industry-standard 3mm x 3mm QFN-16 surface mount package, are lead-free, and RoHS compliant. Typical applications include cellular infrastructure, radar systems, communications, and test instrumentation.