Resultados: 4
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
IXYS MOSFET de SiC 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
Hoja de datos
290En existencias
100Fecha prevista: 11/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Hoja de datos
795En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Hoja de datos
760En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS MOSFET de SiC 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
Hoja de datos
400Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement