Diotec Semiconductor MOSFET de SiC

Resultados: 20
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial


Diotec Semiconductor MOSFET de SiC 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 20 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIF065SIC020
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC 650V TO-247-4L, N, 105A, 650V, 30m?, 175°C
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 105 A 30 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C Enhancement DIF065SIC030
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
Hoja de datos
438En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIF120SIC028
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
445En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement DIF120SIC053
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175°C
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC015
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 49 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC049
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 80 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 75 nC - 55 C + 175 C 175 W Enhancement DIW065SIC080
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
440En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIW120SIC028
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
446En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 67 A 49 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 179 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement DIW170SIC049
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
Hoja de datos
480En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 70 A 22.3 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement DIW170SIC070
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Hoja de datos
450En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Hoja de datos
448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIW120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
707En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 125 A 23 mOhms - 4 V, + 18 V 2.9 V 121 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC
Hoja de datos
445En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC TO-263-7L, N, 7A, 1700V, 850m?, 150C
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7 A 850 mOhms - 5 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 67A, 1700V, 49m, 175C
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 450
Múlt.: 30
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A, 1200V, 22.3m, 175C,
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 450
Múlt.: 30
Diotec Semiconductor MOSFET de SiC TO-247-3L, N, 7.5A, 1700V, 850m?, 175C
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 450
Múlt.: 30