4501 MOSFET

Resultados: 4
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Cualificación Empaquetado

onsemi MOSFET 20V 3.2A N-Channel 151.003En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 80 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 2.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO 2.320En existencias
6.000Fecha prevista: 25/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 950
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 80 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 2.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BSP250/SOT223/SC-73
12.000Fecha prevista: 19/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 10 nC - 65 C + 150 C 1.65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BSP250/SOT223/SC-73
5.000Fecha prevista: 19/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3 A 330 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 10 nC - 65 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel