High-Temperature Products

Vishay offers high-temperature resistors, capacitors, inductors, and semiconductors. In oil and gas drilling, the instrumentation is exposed to harsh environments, including extreme temperatures, pressure, moisture, shock, and vibration. Once commissioned, the instrumentation must be relied upon to function for 5 to 10 years, and be powered at very high temperatures with no maintenance. The components used for this instrumentation must be able to withstand these harsh conditions while maintaining accuracy. Failure of the data would necessitate its removal for repairs, causing costly delays. Vishay helps to avoid this possibility by offering several high-reliability and high-precision resistors, capacitors, inductors, and semiconductors.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET 5.252En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5.5 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 49 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET 2.175En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.4 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 1.7A N-CH 791En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 6.6A N-CH MOSFET 1.039En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6.6 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 52 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp 7.212En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO252 600V 2A N-CH 2.710En existencias
3.000Fecha prevista: 23/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO252 600V 2A N-CH MOSFET 2.594En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET 715En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.1 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET 515En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.2 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 900V 1.9A N-CH MOSFET
1.956Fecha prevista: 12/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.9 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si Tube
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel