TrenchP Módulos MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Serie
Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs
Hoja de datos
658En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 - 15 V, + 15 V - 55 C + 150 C IXTN210P10 Tube
IXYS Módulos MOSFET DISCRETE
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 18 A 120 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS Módulos MOSFET IXTY26P10T TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 26 A 90 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel
IXYS Módulos MOSFET IXTY32P05T TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 43 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 32 A 39 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS Módulos MOSFET IXTY48P05T TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 43 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 48 A 30 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel