Infineon EasyDUAL CoolSiC Módulos MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Hoja de datos
60En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY
Hoja de datos
7En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Hoja de datos
16En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray