HiPerFET Módulos de semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Vgs (tensión de compuerta-fuente) Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
IXYS Módulos de semiconductores discretos 26 Amps 1000V 0.39 Rds No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N100 Tube
IXYS Módulos de semiconductores discretos 26 Amps 1200V No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N120 Tube
IXYS Módulos de semiconductores discretos 30 Amps 1200V 0.35 Rds No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN30N120 Tube
IXYS Módulos de semiconductores discretos 38 Amps 800V 0.22 Rds No en almacén

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN38N80 Tube