SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Tipo
Tecnología
Vf - Tensión delantera
Vr - Tensión inversa
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
ROHM Semiconductor Módulos de semiconductores discretos Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC MOSFET-SiC SBD Modules Half Bridge SiC 1.2 kV - 6 V, + 22 V Screw Mount Module - 40 C + 150 C BSMx Tray
ROHM Semiconductor Módulos de semiconductores discretos SIC Pwr Module Chopper
Hoja de datos
Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Silicon Carbide (SiC) Module SiC 1.6 V 1.2 kV - 4 V, + 22 V Screw Mount Module - 40 C + 150 C Bulk