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DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

Name: Infineon DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DB6U50N16W1RPB11
Price: 34.67 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-DB6U50N16W1RPB11

Fabr. N.º:

DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos de diodos 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module

Hoja de datos:

DDB6U50N16W1RPB11BPSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	34,67 €	34,67 €
	28,36 €	283,60 €
	25,06 €	3.007,20 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos de diodos
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Vr - Tensión inversa:	1.6 kV
Vf - Tensión delantera:	1.61 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	HU
Producto:	Schottky Diode Modules - SBD
Tipo de producto:	Diode Modules
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tecnología:	SiC
Alias de parte #:	DDB6U50N16W1RP_B11 SP005613027

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TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.